Ma ogtahay horumarka MOSFET?

I. Fikradaha hore iyo sahaminta

Fikradda la soo jeediyay:Hal-abuurka MOSFET waxa dib loo soo celin karaa ilaa 1830-meeyadii, markii fikradda transistor-ka saamaynta goobta uu soo bandhigay Jarmalkii Lilienfeld. Si kastaba ha ahaatee, isku dayadii muddadaas laguma guulaysan xaqiijinta MOSFET wax ku ool ah.

Daraasad horudhac ah:Ka dib, Bell Labs ee Shaw Teki (Shockley) iyo kuwa kale ayaa sidoo kale isku dayay in ay bartaan ikhtiraacida tubooyinka saamaynta goobta, laakiin isku mid ayaa ku guuldareystay inay ku guuleystaan. Si kastaba ha ahaatee, cilmi-baadhistoodu waxay aasaas u noqotay horumarka dambe ee MOSFET.

II. Dhalashada iyo horumarka bilowga ah ee MOSFETs

Horumarka Muhiimka ah:Sannadkii 1960kii, Kahng iyo Atalla waxay si lama filaan ah u ikhtiraaceen transistor-ka saamaynta goobta MOS (MOS transistor ee gaaban) habka hagaajinta waxqabadka laba-geesood ee transistor-ka leh silicon dioxide (SiO2). Hal-abuurkan ayaa calaamadeeyay gelitaanka rasmiga ah ee MOSFET-yada ee warshadaha wax-soo-saarka wareegga isku-dhafan.

Kobcinta Waxqabadka:Iyada oo la horumarinayo tignoolajiyada habka semiconductor, waxqabadka MOSFETs ayaa sii wadey inuu soo fiicnaado. Tusaale ahaan, korantada shaqaynaysa ee awoodda korantada sare ee MOS waxay gaari kartaa 1000V, qiimaha iska caabbinta ee MOS hooseeya ee iska caabbinta waa 1 ohm oo keliya, iyo inta jeer ee shaqeyntu waxay u dhexeysaa DC ilaa dhowr megahertz.

III. Codsiga ballaaran ee MOSFET-yada iyo hal-abuurka tignoolajiyada

Si weyn loo isticmaalo:MOSFET-yada waxaa si weyn loogu isticmaalaa aaladaha kala duwan ee elektiroonigga ah, sida microprocessors, xusuusta, wareegyada macquulka ah, iwm, sababtoo ah waxqabadkooda wanaagsan. Qalabka elegtarooniga ah ee casriga ah, MOSFET-yadu waa mid ka mid ah qaybaha lagama maarmaanka ah.

 

Hal-abuurka farsamada:Si loo buuxiyo shuruudaha soo noqnoqoshada hawlgallada sare iyo heerarka awoodda sare, IR waxay samaysay awooddii ugu horreysay ee MOSFET. Intaa ka dib, noocyo badan oo qalab koronto ah ayaa la soo bandhigay, sida IGBT-yada, GTO-yada, IPM-yada, iwm, waxaana aad iyo aad loogu isticmaalay qaybaha la xidhiidha.

Hal-abuurnimada walxaha:Horumarka tignoolajiyada, agab cusub ayaa lagu sahamiyay samaynta MOSFET-yada; tusaale ahaan, qalabka Silicon carbide (SiC) waxay bilaabayaan inay helaan fiiro gaar ah iyo cilmi baaris ay sabab u tahay sifooyinka sare ee jirkooda. Qalabka SiC waxay leeyihiin kororka kuleylka sare iyo xajmiga mamnuuca ah marka loo eego qalabka caadiga ah ee Si, kaas oo go'aaminaya sifooyinkooda ugu fiican sida cufnaanta sare ee hadda jirta, sare. xoogga goobta burburka, iyo heerkulka shaqada oo sarreeya.

Afar, tignoolajiyada goynta MOSFET iyo jihada horumarka

Labada Gate Transistor:Farsamo kala duwan ayaa la isku dayay in la sameeyo transistor-ka laba-geesoodka ah si kor loogu qaado waxqabadka MOSFETs. Labada albaab ee MOS transistor-ka waxay leeyihiin yaraansho ka wanaagsan marka la barbar dhigo hal albaab, laakiin yaraantoodu weli waa xaddidan tahay.

 

Saamaynta godka gaaban:Jihada horumarineed ee muhiimka ah ee MOSFETs waa in la xalliyo dhibaatada saamaynta kanaalka gaaban. Saamaynta gaaban ee kanaalka gaaban waxay xaddidi doontaa horumarinta dheeraadka ah ee waxqabadka qalabka, sidaas darteed waxaa lagama maarmaan ah in laga gudbo dhibaatadan iyada oo la yareynayo qoto dheer ee isgoysyada isha iyo gobollada biyo-mareenka, oo lagu beddelayo isha iyo qulqulka isgoysyada PN ee xiriirinta birta-semiconductor.