Xulashada MOSFET danab yar ayaa ah qayb aad muhiim u ahMOSFETxulashada ma wanaagsana waxay saameyn kartaa hufnaanta iyo kharashka wareegga oo dhan, laakiin sidoo kale waxay keeni doontaa dhibaato badan oo injineerada ah, in sida saxda ah loo doorto MOSFET?
Doorashada N-channel ama P-channel Talaabada ugu horeysa ee xulashada qalabka saxda ah ee naqshadeynta waa in la go'aamiyo in la isticmaalo N-channel ama P-channel MOSFET Codsiga tamarta caadiga ah, MOSFET waxay ka dhigan tahay beddelka dhinaca hoose ee korantada marka MOSFET waa dhulka oo culeysku wuxuu ku xiran yahay koronta jirridda. Shidaalka dhinaca korantada hooseeya, MOSFET-ka N-channel waa in la isticmaalaa iyadoo ay ugu wacan tahay tixgalinta danabka loo baahan yahay si loo damiyo ama loo shido aaladda.
Marka MOSFET ay ku xidho baska oo rarku dhulka dhigo, waxa la isticmaalayaa dhinaca danabka sare. MOSFET-yada P-channel waxaa badanaa lagu isticmaalaa topology-gan, mar labaadna tixgelinta wadista tamarta. Go'aami qiimeynta hadda Dooro qiimeynta hadda MOSFET. Iyada oo ku xidhan qaab dhismeedka wareegga, qiimayntan hadda jirta waa inay noqotaa wakhtiga ugu sarreeya ee culaysku u adkeysan karo xaalad kasta.
Si la mid ah kiiska danab, naqshadeeyuhu waa inuu hubiyaa in la doortayMOSFETwuxuu u adkeysan karaa qiimeyntan hadda jirta, xitaa marka nidaamku uu dhalinayo qulqulka qulqulka. Labada xaaladood ee hadda ah in la tixgeliyo waa hab joogto ah iyo garaaca garaaca wadnaha. Habka socodsiinta joogtada ah, MOSFET waxay ku jirtaa xaalad joogto ah, marka hadda uu si joogto ah u dhex maro aaladda.
Dhiirrigelinta garaaca wadnaha waa marka ay jiraan kor u kac weyn (ama taraqyada hadda jira) ee dhex qulqulaya qalabka. Marka la go'aamiyo heerka ugu sarreeya ee xaaladahan, waa arrin si toos ah loo dooranayo qalab u adkeysan kara wakhtigan ugu sarreeya. Go'aaminta Shuruudaha Kulaylka Xulashada MOSFET waxay sidoo kale u baahan tahay xisaabinta shuruudaha kulaylka ee nidaamka. Nashqadeeyaha waa inuu tixgeliyo laba xaaladood oo kala duwan, kiiskii ugu xumaa iyo kiis run ah. Waxaa lagu talinayaa in xisaabinta kiiska ugu xun la isticmaalo sababtoo ah waxay bixisaa xad weyn oo badbaado ah waxayna hubisaa in nidaamku aanu fashilmin. Waxa kale oo jira qaar ka mid ah cabbirada lagu ogaanayo xaashida xogta MOSFET; sida caabbinta kulaylka ee u dhaxaysa isku xirka semiconductor ee qalabka xirmada iyo deegaanka, iyo heerkulka ugu sarreeya ee isku xirka. Go'aaminta beddelka waxqabadka, tallaabada ugu dambeysa ee xulashada MOSFET waa in la go'aamiyo waxqabadka beddelka eeMOSFET.
Waxaa jira xaddi badan oo saameeya waxqabadka beddelka, laakiin kuwa ugu muhiimsan waa albaabka/daridda, albaabka/ isha, iyo biya-mareenka/ awoodda ilaha. Awoodahani waxay abuuraan khasaare beddelka aaladda sababtoo ah waa in lagu dallaco inta lagu jiro beddelaad kasta. Xawaaraha beddelka ee MOSFET waa la dhimay oo waxtarka aaladda ayaa hoos u dhacda. Si loo xisaabiyo wadarta khasaaraha qalabka inta lagu jiro beddelka, naqshadeeyuhu waa inuu xisaabiyaa khasaaraha shid (Eon) iyo khasaaraha deminta.
Marka qiimaha vGS uu yar yahay, awoodda nuugista elektaroonigga ma aha mid xoog leh, daadinta - isha u dhaxaysa weli ma jiro kanaalka korantada, korodhka vGS, oo la nuugo lakabka dusha sare ee P substrate ee kororka, marka vGS uu gaaro a Qiimo gaar ah, elektaroonnadan albaabka u dhow muuqaalka substrate-ka P waxay ka kooban yihiin lakab khafiif ah oo N-nooca ah, oo leh labada aagga N + ee ku xiran Marka vGS gaaro qiimo gaar ah, elektaroonnadan albaabka u dhow muuqaalka substrate P waxay ka koobnaan doonaan a lakabka khafiifka ah ee N-nooca, oo ku xidhan labada gobolka N +, ee biya-mareenka - isha ka kooban N-nooca conductive channel, ay nooca conductive iyo ka soo horjeeda ee substrate P, ka kooban lakabka anti-type. vGS waa ka weyn yahay, doorka muuqaalka semiconductor ee beerta korantada ka xoog badan, nuugista elektarooniga ah ee dibedda ee substrate-ka P, inta badan kanaalka korantada waa dhumuc weyn, hoos u dhigista caabbinta kanaalka. Taasi waa, N-channel MOSFET ee vGS <VT, ma noqon karto kanaal korantada, tuubada ayaa ku taal gobolka goynta. Ilaa iyo inta marka vGS ≥ VT, kaliya marka halabuurka channel. Ka dib marka kanaalka la sameeyo, qulqulka qulqulka ayaa soo baxaya iyadoo lagu darayo koronto hore oo vDS ah oo u dhexeeya qulqulka - isha.
Laakiin Vgs-ku wuu sii kordhayaa, aynu nidhaahno IRFPS40N60KVgs = 100V marka Vds = 0 iyo Vds = 400V, laba xaaladood, shaqada tuubada si ay u keento saameyntee, haddii la gubo, sababta iyo habka gudaha ee geedi socodka waa sida loo kordhiyo Vgs Rds (daran) waxay yareeyaan khasaaraha beddelka, laakiin isla mar ahaantaana waxay kordhin doontaa Qg, si ay lumista shidku u noqoto mid weyn, oo saameynaysa waxtarka MOSFET GS ee Vgg ilaa Cgs ku dallaca iyo kor u kaca, waxay timid danab dayactirka Vth MOSFET waxay bilawday hawlqabad; MOSFET DS kororka hadda, awoodda Millier ee muddada u dhaxaysa sababtoo ah sii daynta awoodda DS iyo sii daynta, awoodda GS dallacadu saamayn badan kuma yeelanayso; Qg = Cgs * Vgs, laakiin kharashku wuu sii socon doonaa.
Korantada DS ee MOSFET waxay hoos ugu dhacdaa isla danabkii Vgs, awoodda Millier ayaa aad u kordheysa, korantada wadista dibadda waxay joojisaa ku dallaca awoodda Millier, korantada korantada GS capacitance wali waxba kama beddelin, korantada awoodda Millier ayaa kordheysa, halka korantadu ay istaagto. awoodda DS ayaa sii socota inay hoos u dhacdo; korantada DS ee MOSFET waxa ay hoos u dhigtaa danabka marka la joogo saturated conduction, capacitance Millier waxa uu noqonayaa mid yar. danab, iyo danab on capacitance GS kor u kaca; Kanaalka cabbiraadda danabku waa 3D01, 4D01, iyo Nissan's 3SK taxane ah.
Go'aaminta G-ciirka (albaab): isticmaal qalabka diode ee mitirka badan. Haddii cagta iyo labada cagood ee kale ee u dhexeeya hoos u dhaca danab iyo toganba ay ka weyn yihiin 2V, taas oo ah, bandhiga "1", cagtani waa albaabka G. Ka dibna ku beddel qalinka si aad u cabbirto inta ka hadhay labada cagood. dhibicda danabku waa yar yahay wakhtigaas, qalinka madow wuxuu ku xiran yahay D-pole (daadi), qalinka cas wuxuu ku xiran yahay S-ciirka (source).
Waqtiga boostada: Abriil-26-2024
