Marka ugu horeysa, nooca MOSFET iyo qaab dhismeedka, MOSFET waa FET (mid kale waa JFET), waxaa lagu soo saari karaa in la xoojiyey ama nooc depletion, P-channel ama N-channel wadar ahaan afar nooc, laakiin codsiga dhabta ah ee kaliya la wanaajiyey N. -channel MOSFETs iyo MOSFET-yada P-channel ee la xoojiyay, oo inta badan loo yaqaan NMOSFET, ama PMOSFET waxa loola jeedaa So sida caadiga ah loo sheego NMOSFET, ama PMOSFET waxa ay tilmaamaysaa labadan nooc. Labadan nooc ee MOSFET-yada la xoojiyey, NMOSFET-yada ayaa inta badan loo isticmaalaa sababtoo ah iska caabintooda hoose iyo sahlanaanta wax soo saarkooda. Sidaa darteed, NMOSFET-yada waxaa guud ahaan loo adeegsadaa beddelka sahayda korontada iyo codsiyada waditaanka mootada, hordhaca soo socdaa wuxuu sidoo kale diiradda saarayaa NMOSFETs. awoodda dulin ayaa ka dhex jira saddexda biin ee ahMOSFET, taas oo aan loo baahnayn, laakiin halkii ay ugu wacan tahay xaddidaadda habka wax soo saarka. Joogitaanka awoodda dulinku waxay ka dhigaysaa xoogaa dhib badan in la naqshadeeyo ama la doorto wareegga darawalka. Waxaa jira diode dulin ah oo u dhexeeya qulqulka iyo isha. Tan waxaa loo yaqaannaa diode-jidhka waxayna muhiim u tahay wadista rarka firfircoon sida matoorada. Jid ahaan, diode jidhku waxa uu ku jiraa MOSFET-yada gaarka ah oo inta badan kuma jiro gudaha chip IC.
Hadda waxaMOSFETwadi codsiyada hoose-voltage, marka isticmaalka sahayda 5V, markan haddii aad isticmaasho qaab-dhismeedka totem totem dhaqanka, ay sabab u tahay transistor ah oo ku saabsan 0.7V danab hoos u dhac, taasoo keentay in finalka dhabta ah lagu daray albaabka on danab waa kaliya. 4.3 V. Waqtigan xaadirka ah, waxaan dooraneynaa tamarta albaabka magaca 4.5V ee MOSFET ee jiritaanka khataraha qaarkood. Dhibaato la mid ah waxay ku dhacdaa isticmaalka 3V ama dhacdooyinka kale ee korontada yar yar. Dual voltages waxaa loo isticmaalaa wareegyada kantaroolka qaarkood halkaasoo qaybta macquulka ah ay isticmaasho 5V ama 3.3V danab dhijitaal ah oo caadi ah iyo qaybta korantadu waxay isticmaashaa 12V ama xitaa ka sareeya. Labada danab waxay ku xiran yihiin dhul ay wadaagaan. Tani waxay dhigaysaa shuruud ah in la isticmaalo wareeg ah oo u oggolaanaysa dhinaca korantada hooseeya inay si wax ku ool ah u maamusho MOSFET ee dhinaca tamarta sare, halka MOSFET ee dhinaca tamarta sare ay la kulmi doonto isla dhibaatooyinka lagu sheegay 1 iyo 2.
Dhammaan saddexda xaaladood, qaab dhismeedka tiirka totemku ma buuxin karo shuruudaha wax-soo-saarka, qaar badan oo ka mid ah darawallada MOSFET ee ICs uma muuqdaan inay ku jiraan qaab-dhismeedka xaddidaadda korantada albaabka. Korontada wax gelinta ma aha qiime go'an, way ku kala duwan tahay waqtiga ama arrimo kale. Kala duwanaanshiyahani wuxuu keenaa in korantada wadista ee MOSFET ee wareegga PWM ay noqoto mid aan degganayn. Si MOSFET looga dhigo mid ka badbaadsan danabyada albaabka sare, MOSFETs badan ayaa leh nidaamiyayaal danab ku dhex dhisan si ay si xoog ah u xaddidaan baaxadda danabka albaabka. Xaaladdan oo kale, marka danab drive bixiyo wax ka badan nidaamiyaha danab, waxa ay keeni doontaa isticmaalka awoodda static weyn waqti isku mid ah, haddii aad si fudud u isticmaasho mabda'a ee resistor danab qaybiyaha si loo yareeyo danab iridda, waxaa jiri doona xad sare. danab gelinta, ahMOSFETsi fiican ayuu u shaqeeyaa, halka korantada wax-soo-gelinta la dhimo marka korantada iriddu ay ku filnaan weydo inay keento wax ka yar oo dhammaystiran, taasoo kordhinaysa isticmaalka tamarta.
Wareegga caadiga ah halkan kaliya ee wareegga darawalka NMOSFET si uu u sameeyo falanqayn sahlan: Vl iyo Vh waa tamarta hoose ee hoose iyo sare, labada korantadu waxay noqon karaan isku mid, laakiin Vl waa inaysan dhaafin Vh. Q1 iyo Q2 waxay sameeyaan tiir rogan, oo loo isticmaalo in lagu garto go'doominta, isla mar ahaantaana si loo hubiyo in labada tuubbo ee darawalka Q3 iyo Q4 aysan noqon doonin waqti isku mid ah. R2 iyo R3 waxay bixiyaan danab PWM R2 iyo R3 waxay bixiyaan tixraaca korantada PWM, adoo bedelaya tixraaca, waxaad u ogolaan kartaa wareegga shaqada ee qaabka mowjadda calaamada PWM waa meel qumman oo toosan. Q3 iyo Q4 waxaa loo isticmaalaa in lagu bixiyo darawalka hadda, sababtoo ah waqtiga-waqtiga, Q3 iyo Q4 marka loo eego Vh iyo GND waa ugu yaraan hoos u dhaca Vce, hoos u dhaca danabku badanaa waa 0.3V ama wax ka badan, aad uga hooseeya In ka badan 0.7V Vce R5 iyo R6 ayaa ah resistors-ka jawaab celinta, loo isticmaalo gate R5 iyo R6 waa resistors jawaab celin loo isticmaalo in lagu muunad danab albaabka, ka dibna loo sii maraa Q5 si loo dhaliyo jawaab celin taban xoog leh oo ku saabsan saldhigyada Q1 iyo Q2, sidaas darteed xaddidaya. danabka iridda ilaa qiimo xaddidan. Qiimahan waxaa lagu hagaajin karaa R5 iyo R6. Ugu dambeyntii, R1 waxay bixisaa xaddidaadda saldhigga hadda ee Q3 iyo Q4, iyo R4 waxay bixisaa xaddidaadda albaabka hadda MOSFETs, taas oo ah xaddididda Barafka Q3Q4. Capacitor-ka dardargelinta waxa lagu xidhi karaa si is barbar socda oo ka sarreeya R4 haddii loo baahdo.
Waqtiga boostada: Abriil-21-2024
