Waxaa jira laba nooc oo waaweyn oo MOSFET ah: nooca isgoysyada kala dillaacay iyo nooca albaabka dahaaran. Isgoyska MOSFET (JFET) waxaa loo magacaabay sababtoo ah waxay leedahay laba isgoys oo PN ah, iyo albaab dahaaran.MOSFET(JGFET) ayaa loo magacaabay sababtoo ah albaabku wuxuu gebi ahaanba ka dahaaran yahay korantada kale. Waqtigan xaadirka ah, MOSFET-yada albaabada leh, midka ugu badan ee la isticmaalo waa MOSFET, oo loo yaqaan MOSFET (bir-oxide-semiconductor MOSFET); Intaa waxaa dheer, waxaa jira PMOS, NMOS iyo VMOS MOSFETs, iyo sidoo kale πMOS iyo VMOS modules power ah, iwm.
Marka loo eego agabka semiconductor-ka ee kala duwan, nooca isgoysyada iyo nooca albaabka dahaarka ayaa loo qaybiyaa kanaalka iyo kanaalka P. Haddii loo qaybiyo iyadoo loo eegayo habka korantada, MOSFET waxa loo qaybin karaa nooc wax-ka-qabashada iyo nooca kobcinta. MOSFET-yada isgoysyada ah dhamaantood waa nooca xaalufka, iyo MOSFET-yada iridda dahaaran ayaa labaduba ah nooca xaalufinta iyo nooca kobcinta.
transistors-ka saamaynta goobta waxa loo qaybin karaa transistor-yada saamaynta goob-goobeedka iyo MOSFETs. MOSFETs waxay u qaybsantaa afar qaybood: N-channel-ka nooca xaalufinta iyo nooca xoojinta; Nooca dhimista P-channel iyo nooca kobcinta.
Tilmaamaha MOSFET
Sifada MOSFET waa danabka iridda koonfureed ee UG; Kaas oo gacanta ku haya aqoonsiga dareeraha ee hadda jira. Marka la barbar dhigo transistors-ka caadiga ah ee laba-cirifoodka, MOSFET-yadu waxay leeyihiin sifooyin is-dhexgal sare leh, buuq yar, baaxad weyn oo firfircoon, isticmaalka tamarta hoose, iyo is-dhexgalka fudud.
Marka qiimaha saxda ah ee korantada eexda taban (-UG) uu kordho, lakabka hoos u dhaca ayaa kordha, kanaalka ayaa yaraada, iyo aqoonsiga hadda jira ee dheecaanku wuu yareeyaa. Marka qiimaha saxda ah ee korantada eexda taban (-UG) hoos u dhacdo, lakabka hoos u dhaca ayaa hoos u dhacaya, kanaalka ayaa kordha, iyo dheecaanka aqoonsiga hadda jira ayaa kordha. Waxaa la arki karaa in ID-ga hadda jira uu yahay mid ay maamusho gate Voltage, markaa MOSFET waa aaladda korantada lagu maamulo, taas oo ah, isbeddellada ku yimaada hadda wax soo saarka waxaa lagu xakameynayaa isbeddelka tamarta wax soo saarka, si loo gaaro kor u qaadis iyo ujeedooyin kale.
Sida transistors-ka laba-cirifoodka ah, marka MOSFET loo isticmaalo wareegyada sida cod-weyneysiinta, koronto eex ah waa in sidoo kale lagu daraa albaabkeeda.
Albaabka tuubada saamaynta is-goysyada waa in lagu dabaqaa korantada eexda, taas oo ah, korantada albaabka taban waa in lagu dabaqaa tuubada N-channel iyo cidiyaha albaabka togan waa in lagu dhejiyaa tuubada P-channel. Iridda dahaarka ee la xoojiyay MOSFET waa in ay marisaa danab albaabka hore. Korontada iridda ee qaabka xaalufinta ee MOSFET waxay noqon kartaa mid togan, taban, ama "0". Hababka lagu daro eexda waxaa ka mid ah habka eexda ee go'an, habka eexda ee iskeed isu bixisay, habka isku xidhka tooska ah, iwm.
MOSFETWaxay leedahay xaddi badan, oo ay ku jiraan cabbirrada DC, cabbirrada AC iyo xaddidaadaha xaddidan, laakiin isticmaalka caadiga ah, waxaad u baahan tahay oo keliya inaad fiiro gaar ah u yeelato cabbirrada ugu muhiimsan ee soo socda: Isha biyo-mareenka buuxa ee hadda jira ee IDSS qanjaruufo kor u kaca, (tuubada is-goysyada iyo qaabka dhimista ayaa dahaaran. tuubada albaabka, ama daaran Voltage UT (tuubada albaabka dahaaran ee la xoojiyay), gm transconductance, BUDS-ka jabka korantada, daminta awooda ugu badan ee PDSM iyo ugu badnaan isha-biyoodka IDSM hadda.
(1) Biyo-mareen-biyood oo buuxa
Isha biyo-mareenka buuxa ee IDSS ee hadda jira waxa loola jeedaa isha-biyoodka hadda jira marka korantada albaabka UGS=0 ee isgoysyada ama albaabada dahaaran ee MOSFET.
(2) Korontada-daminta
Korontada qanjaruufka ah ee UP waxa ay tilmaamaysaa danabka albaabka marka isku xirka il-biyoodka kaliya laga gooyo isgoyska ama iridda dahaaran ee nooca xaalufinta ah ee MOSFET. Sida ku cad 4-25 ee qalooca UGS-ID ee tuubada N-channel, macnaha IDSS iyo UP si cad ayaa loo arki karaa.
(3) Danab daar
Danabka shid UT waxa uu tilmaamayaa danabka albaabka marka isku xirka il-biyoodka kaliya lagu sameeyo iridda dahaaran ee MOSFET ee la xoojiyay. Jaantuska 4-27 wuxuu muujinayaa qalooca UGS-ID ee tuubada N-channel, macnaha UT si cad ayaa loo arki karaa.
(4) Dhaqan-gal
Transconductance gm waxay ka dhigan tahay awoodda korantada isha-irida ee UGS si loo xakameeyo aqoonsiga hadda jira, taas oo ah, saamiga isbeddelka aqoonsiga hadda jira ee isbeddelka UGS-ka isha. 9m waa halbeeg muhiim ah oo lagu cabbiro awooda kordhintaMOSFET.
(5)Drain-source break volt
Korontada burburka isha-biyoodka BUDS waxa ay tilmaamaysaa korantada isha-biyoodka ugu badan ee MOSFET ay aqbali karto marka korantada isha-albaabka UGS joogto tahay. Kani waa halbeeg xaddidan, iyo korantada shaqaynaysa ee lagu dabaqay MOSFET waa in ay ka yaraataa BUDS.
(6) Awood darida ugu badan
Korontada ugu badan ee PDSM sidoo kale waa xaddidaad xaddidan, taas oo tixraacaysa kala-baxa ugu badan ee isha biyo-mareenka ah ee la oggol yahay iyada oo aan hoos loo dhigin waxqabadka MOSFET. Marka la isticmaalo, isticmaalka korantada dhabta ah ee MOSFET waa inuu ka yaraada PDSM oo uu ka tago xad gaar ah.
(7)Ugu badnaan isha biyo-mareenka
Isha ugu badan ee biyo-mareenka IDSM waa xuduud kale oo xaddidan, taas oo tixraacaysa ugu badnaan hadda la oggol yahay in la dhex maro qulqulka iyo isha marka MOSFET ay si caadi ah u shaqeyso. Xilliga ay ku shaqeyso MOSFET waa inuusan dhaafin IDSM-ka.
1. MOSFET waxa loo isticmaali karaa in lagu kordhiyo. Mar haddii impedance-ka soo gelida cod-weyneeye MOSFET uu aad u sarreeyo, capacitor-ga isku-xidhku waxa uu noqon karaa mid yar mana aha in la isticmaalo capacitors electrolytic.
2. Wax-soo-saarka sare ee MOSFET wuxuu aad ugu habboon yahay isbeddelka impedance. Inta badan waxaa loo isticmaalaa is-beddelka impedance ee marxaladda gelinta ee cod-weyneyaasha heer-sare ah.
3. MOSFET waxa loo isticmaali karaa resistor doorsoome.
4. MOSFET waxa si ku habboon loogu isticmaali karaa il joogta ah oo joogto ah.
5. MOSFET waxa loo isticmaali karaa sidii qalab elektaroonik ah.
MOSFET waxay leedahay sifooyinka iska caabin hoose oo hoose, koronto adkeysi badan, degdeg u beddelasho, iyo tamar baraf ah oo sarreeya. Baaxadda hadda la nashqadeeyay waa 1A-200A iyo taako taako waa 30V-1200V. Waxaan hagaajin karnaa cabbirada korantada iyadoo loo eegayo goobaha codsiga macaamiisha iyo qorshayaasha dalabka si loo hagaajiyo isku halaynta badeecada macaamiisha, waxtarka beddelka guud iyo tartanka qiimaha alaabta.
MOSFET vs Isbarbardhigga Transistor
(1) MOSFET waa curiye kontorool koronto, halka transistor-ku yahay curiyaha kontoroolka hadda jira. Marka qadar yar oo hadda ah la ogolaado in laga soo qaado isha ishaarada, MOSFET waa in la isticmaalaa; Marka korantada calaamaduhu hoos u dhacdo oo qadar badan oo hadda ah loo ogolaado in laga soo qaado isha isha, waa in la isticmaalo transistor.
(2) MOSFET waxay isticmaashaa badiyaa sidayaal si ay u qabato koronto, sidaas darteed waxaa loogu yeeraa aaladda unipolar, halka transistors ay leeyihiin sidayaal badan iyo kuwa laga tirada badan yahay si ay u qabtaan koronto. Waxa loo yaqaan aaladda laba-cirifoodka.
(3) Isha iyo dheecaanka MOSFET-yada qaarkood ayaa loo isticmaali karaa si is beddel ah, korantada albaabka waxay noqon kartaa mid togan ama taban, taas oo ka dabacsan transistor-ka.
(4) MOSFET waxay ku shaqayn kartaa xaalad aad u yar oo hadda aad u yar iyo mid aad u yar, habka wax soo saarkeeduna wuxuu si fudud ugu dhex dari karaa MOSFETs badan oo wafer silikoon ah. Sidaa darteed, MOSFET-yada waxaa si weyn loogu isticmaalay wareegyo isku dhafan oo baaxad weyn.
Sida loo qiimeeyo tayada iyo polarity ee MOSFET
Dooro inta u dhaxaysa multimeter-ka ilaa RX1K, ku xidh tiirka tijaabada madow ee tiirka D, iyo tiirka cas ee hogaanka S tiirka. Gacantaada ku taabo tiirarka G iyo D isku mar. MOSFET waa inay ku jirtaa xaalad dhaq-dhaqaaq degdeg ah, taas oo ah, cirbadda mitirku waxay u wareegaysaa meel leh iska caabin yar. , ka dibna ku taabo tirarka G iyo S gacmahaaga, MOSFET waa in aysan helin wax jawaab ah, taas oo ah, cirbadda mitirku dib uguma laabanayso booska eber. Waqtigaan, waa in lagu qiimeeyaa in MOSFET ay tahay tuubo wanaagsan.
Dooro inta u dhaxaysa multimeter-ka ilaa RX1K, oo cabbir iska caabbinta saddexda biin ee MOSFET. Haddii caabbinta u dhaxaysa hal biin iyo labada biin ee kale ay tahay mid aan xad lahayn, oo ay weli tahay mid aan xad lahayn ka dib marka la isweydaarsado tiirarka tijaabada, markaa pin-kani waa tiirka G, labada biin ee kale waa S pole iyo D. Ka dib isticmaal multimeter si aad u cabbirto qiimaha iska caabinta u dhexeeya tiirka S iyo tiirka D hal mar, beddelo tiirarka tijaabada oo mar kale cabbir. Midka leh qiimaha iska caabbinta yar waa madow. Leedhka tijaabada ahi waxa uu ku xidhan yahay tiirka S, iyo tiirka gaduudan ee tijaabada cas waxa uu ku xidhan yahay tiirka D.
MOSFET ogaanshaha iyo taxaddarrada isticmaalka
1. Isticmaal multimeter-ka tilmaame si aad u aqoonsato MOSFET
1) Isticmaal habka cabbiraadda iska caabinta si aad u aqoonsato korantada isgoyska MOSFET
Marka loo eego ifafaalaha ah in qiyamka iska caabbinta hore iyo gadaal ee isgoysyada PN ee MOSFET ay kala duwan yihiin, saddexda korantada ee isgoyska MOSFET waa la aqoonsan karaa. Habka gaarka ah: U deji multimeterka inta u dhaxaysa R × 1k, dooro laba elektaroonig ah, oo cabbir hore iyo dib u celi qiyamka caabbinta siday u kala horreeyaan. Marka qiyamka caabbinta hore iyo gadaal ee laba electrodes ay siman yihiin oo ay yihiin dhowr kun oo ohms, markaa labada korantada waa dheecaan D iyo isha S siday u kala horreeyaan. Sababtoo ah MOSFET-yada is-goysyada, bulaacada iyo isha waa la isweydaarsan karaa, korantada soo hadha waa inay noqotaa albaabka G. Waxaad sidoo kale taaban kartaa rasaasta tijaabada madow (lead tijaabada cas sidoo kale waa la aqbali karaa) ee multimeter-ka elektrode kasta, iyo tijaabada kale ayaa horseedaysa taabo labada electrodes ee soo hadhay si isku xigta si aad u cabbirto qiimaha iska caabinta. Marka qiyamka caabbinta ee laba jeer lagu qiyaaso ay siman yihiin, korantada xiriir la leh hogaanka tijaabada madow waa albaabka, labada kale ee elektiroonigga ah waa dareeraha iyo isha siday u kala horreeyaan. Haddii qiyamka caabbinta ee laba jeer la cabbiro ay labaduba aad u weyn yihiin, waxay la macno tahay in ay tahay jihada dambe ee isgoysyada PN, taas oo ah, labaduba waa iska caabin celin. Waxaa la go'aamin karaa in ay tahay N-channel MOSFET, iyo tijaabada tijaabada madow waxay ku xiran tahay albaabka; haddii qiyamka iska caabbinta laba jeer la cabbiro ay yihiin qiyamka iska caabintu aad bay u yar yihiin, taas oo muujinaysa in ay tahay isgoyska hore ee PN, taas oo ah iska caabin hore, waxaana la go'aamiyay in uu yahay P-channel MOSFET. Leedhka tijaabada madow wuxuu sidoo kale ku xidhan yahay albaabka. Haddii xaalada kor ku xusan aysan dhicin, waxaad bedeli kartaa hogaanka baaritaanka madow iyo casaanka oo aad tijaabin kartaa habka kor ku xusan ilaa shabkada la aqoonsanayo.
2) Isticmaal habka cabbiraadda iska caabinta si loo go'aamiyo tayada MOSFET
Habka cabbiraadda iska caabbinta waa in la isticmaalo multimeter si loo cabbiro iska caabbinta u dhaxaysa isha MOSFET iyo biyo-mareenka, albaabka iyo isha, albaabka iyo bullaaca, albaabka G1 iyo gate G2 si loo go'aamiyo in uu la mid yahay qiimaha iska caabinta ee lagu tilmaamay buug-gacmeedka MOSFET. Maamulku wuu fiican yahay ama wuu xun yahay. Habka gaarka ah: Marka hore, samee multimeter-ka R × 10 ama R × 100, oo cabbir caabbinta u dhaxaysa isha S iyo qulqulka D, badiyaa inta u dhaxaysa tobanaan ohms ilaa dhowr kun oo ohms (waxaa lagu arki karaa buug-gacmeedka in tubooyinka moodooyinka kala duwan, qiyamkooda caabbinta ay kala duwan yihiin), haddii qiimaha caabbinta la qiyaasay uu ka weyn yahay qiimaha caadiga ah, waxaa laga yaabaa inay sabab u tahay xiriirka hoose ee liita; haddii qiimaha caabbinta la qiyaasay uu yahay mid aan dhammaad lahayn, waxa laga yaabaa inay noqoto tiir jaban oo gudaha ah. Ka dib u dhig multimeter-ka inta u dhaxaysa R×10k, ka dibna cabbir qiimaha iska caabinta u dhexeeya albaabbada G1 iyo G2, inta u dhaxaysa albaabka iyo isha, iyo inta u dhaxaysa albaabka iyo bullaacadaha. Marka qiyamka caabbinta la qiyaasay ay dhamaantood yihiin kuwo aan xad lahayn, ka dibna Waxay ka dhigan tahay in tuubada ay tahay mid caadi ah; haddii qiyamka caabbinta kor ku xusan ay aad u yar yihiin ama ay jirto waddo, waxay la macno tahay in tuubada ay xun tahay. Waa in la ogaadaa in haddii labada albaab ay ku jabaan tuubada, habka beddelka qaybaha loo isticmaali karo ogaanshaha.
3) Isticmaal habka gelinta signalka soo gelida si aad u qiyaasto awooda kordhinta MOSFET
Habka gaarka ah: Isticmaal heerka R × 100 ee caabbinta multimeterka, ku xidh hogaanka tijaabada cas ilaa isha S, iyo tijaabada tijaabada madow ee daadiyaha D. Ku dar 1.5V danab koronto ah MOSFET. Waqtigan xaadirka ah, qiimaha iska caabinta u dhexeeya qulqulka iyo isha waxaa lagu muujiyey cirbadda mitirka. Ka dib gacantaada ku soo xaji albaabka G ee isgoyska MOSFET, oo ku dar calaamada korontada ee jirka bini'aadamka albaabka. Sidan oo kale, saamaynta kor u qaadista tuubada awgeed, tamarta isha-biyoodka ee VDS iyo qulqulka qulqulka Ib ayaa isbeddeli doona, taas oo ah, iska caabbinta u dhaxaysa qulqulka iyo isha ayaa isbeddeli doonta. Laga soo bilaabo tan, waxaa laga arki karaa in cirbadda mitirku ay u beddesho xad weyn. Haddii irbadda cirbadda gacanta ee gacanta lagu hayo ay wax yar beddesho, waxay la macno tahay in awoodda kor u qaadista tuubada ay liidato; haddii cirbaddu si weyn u lulanto, waxay ka dhigan tahay in awoodda kor u qaadista tuubada ay weyn tahay; haddii cirbaddu dhaqaaqi waydo, waxay la macno tahay in tuubbadu xun tahay.
Marka loo eego habka kore, waxaan isticmaalnaa cabirka R × 100 ee multimeterka si aan u cabbirno isgoyska MOSFET 3DJ2F. Marka hore fur G electrode ee tuubada oo cabbir iska caabbinta isha biyo-mareenka RDS si ay u noqoto 600Ω. Ka dib markaad gacanta ku qabato G eletrooniga, cirbadda mitirku waxay u leexanaysaa bidix. Cadaadiska la tilmaamay ee RDS waa 12kΩ. Haddii cirbadda mitirku ay weynaato, waxay la macno tahay tuubada ayaa wanaagsan. , oo uu leeyahay awood weyn.
Waxaa jira dhowr dhibcood oo la xuso marka la isticmaalayo habkan: Marka hore, markaad tijaabinayso MOSFET oo aad albaabka gacanta ku hayso, irbadda multimeter-ka ayaa laga yaabaa inay u leexato midig (qiimaha iska caabbinta ayaa hoos u dhacaya) ama bidix (qiimaha iska caabbinta ayaa kor u kacaya) . Tan waxa u sabab xaqiiqada ah in korantada AC ee jidhka bini'aadamku uu kiciyo uu aad u sarreeyo, MOSFET-yada kala duwana waxay yeelan karaan dhibco shaqo oo kala duwan marka lagu cabbiro kala duwanaansho iska caabin ah (ha ahaato ka shaqaynta aagga saturated ama aagga unsaturated). Tijaabooyinku waxay muujiyeen in RDS ee tuubooyinka intooda badani ay kordhaan. Taasi waa, gacanta saacaddu waxay u lulaysaa bidix; RDS ee dhowr tubbo ayaa hoos u dhacaya, taasoo keenaysa in gacanta saacaddu ay u lulato midig.
Laakiin iyada oo aan loo eegin jihada ay saacaddu u lulanto gacantu, ilaa inta ay saacaddu gacantu ka weyn tahay, waxay la macno tahay in tuubbadu leedahay awood weyn oo kor u qaadis ah. Marka labaad, habkani wuxuu sidoo kale u shaqeeyaa MOSFETs. Laakiin waa in la ogaadaa in iska caabin gelinta MOSFET uu aad u sarreeyo, iyo korontada la oggol yahay ee albaabka G waa inuusan aad u sarreyn, markaa si toos ah haku dhejin albaabka gacmahaaga. Waa in aad isticmaashid gacanta dahaaran ee kaashawiito si aad albaabka ugu taabato ul bir ah. , si looga hortago in lacagta jidhka bini'aadamka ah ay keentay in si toos ah loogu daro albaabka, taasoo keenta burburka albaabka. Seddexaad, cabir kasta ka dib, tiirarka GS waa inay noqdaan kuwo gaaban oo wareeg ah. Tani waa sababta oo ah waxaa jiri doona qadar yar oo lacag ah oo ku saabsan capacitor isgoyska GS, kaas oo dhisa tamarta VGS. Natiijo ahaan, gacmaha mitirku waxa laga yaabaa in aanay dhaqaaqin marka mar kale la cabbirayo. Sida kaliya ee lagu soo dayn karo kharashka waa in la gooyo kharashka u dhexeeya GS electrodes.
4) Isticmaal habka cabbiraadda iska caabinta si aad u aqoonsato MOSFET-yada aan la calaamadin
Marka hore, isticmaal habka cabbiraadda caabbinta si aad u hesho laba biin oo leh qiimayaal iska caabin ah, kuwaas oo kala ah isha S iyo bulaacada D. Labada biin ee soo hadhay waa albaabka koowaad ee G1 iyo kan labaad ee G2. Qor qiimaha iska caabinta u dhexeeya isha S iyo biya-mareenka D oo lagu cabbiray laba tijaabo marka hore. Beddel tilmaamaha tijaabada oo mar kale cabbir. Qor qiimaha caabbinta la qiyaasay. Midka leh qiimaha iska caabbinta weyn ee lagu qiyaasay laba jeer waa rasaasta tijaabada madow. Elektroodka ku xiran waa qulqulka D; Ledhka tijaabada cas wuxuu ku xidhan yahay isha S. Tiirarka S iyo D ee lagu aqoonsaday habkan waxa kale oo lagu xaqiijin karaa iyadoo la qiyaaso awoodda weynaynta tuubada. Taasi waa, hogaanka tijaabada madow ee leh awood weyn oo weyn ayaa ku xiran cirifka D; sunta rasaasta gaduudan waxay ku xiran tahay dhulka ilaa 8-cir. Natiijooyinka imtixaannada labada hab waa inay isku mid noqdaan. Ka dib marka la go'aamiyo boosaska qulqulka D iyo isha S, ku dheji wareegga iyada oo loo eegayo boosaska u dhigma ee D iyo S. Guud ahaan, G1 iyo G2 ayaa sidoo kale la jaan qaadi doona si isku xigta. Tani waxay go'aaminaysaa boosaska labada albaab ee G1 iyo G2. Tani waxay go'aaminaysaa nidaamka D, S, G1, iyo G2 biinanka.
5) Isticmaal isbeddelka qiimaha iska caabinta si aad u go'aamiso xajmiga transconductance
Marka la cabbirayo waxqabadka transconductance ee VMOSN kanaalka xoojinta MOSFET, waxaad isticmaali kartaa hogaanka imtixaanka cas si aad isku xirto isha S iyo hogaanka imtixaanka madow ee bullaacadaha D. Tani waxay u dhigantaa in lagu daro danab ka soo horjeeda u dhexeeya isha iyo bullaacadaha. Waqtigaan, albaabku waa wareeg furan, iyo qiimaha iska caabbinta ee tuubada waa mid aan degganeyn. Dooro qiyaasta ohm ee multimeter-ka ilaa baaxadda iska caabinta sare ee R × 10kΩ. Waqtigaan, tamarta mitirka ayaa sareeysa. Markaad gacantaada ku taabato shabagga G, waxaad ogaan doontaa in qiimaha iska caabbinta ee tuubada ay si weyn isu beddesho. Isbedelka weyn, ayaa sare u kacaya qiimaha transconductance ee tuubada; haddii transconductance ee tubbada hoos imtixaanka uu yahay mid aad u yar, isticmaal habkan si aad u cabbirto Marka , caabbinta gadaasha isbedel yar.
Ka taxadar isticmaalka MOSFET
1) Si loo isticmaalo MOSFET si badbaado leh, qiyamka xaddidan ee halbeegyada sida awoodda daadsan ee tuubada, tamarta ugu sarreysa ee ilaha qulqulka, korantada isha ugu sarreysa, iyo hadda ugu sarreeya lama dhaafi karo naqshadda wareegga.
2) Marka la isticmaalayo noocyada kala duwan ee MOSFET-yada, waa in lagu xidhaa wareegga si adag oo waafaqsan eexda loo baahan yahay, waana in la ilaaliyaa polarity ee eexda MOSFET. Tusaale ahaan, waxaa jira isgoysyada PN ee u dhexeeya isha albaabka iyo biya-mareenka isgoyska MOSFET, iyo albaabka tuubada N-channel si togan uma eexan karo; Albaabka tuubada P-channel si xun uma eexan karo, iwm.
3) Sababtoo ah cilad-gelinta MOSFET waa mid aad u sareysa, biinanka waa inay ahaadaan kuwo gaaban oo gaaban inta lagu jiro gaadiidka iyo kaydinta, waana in lagu xidhaa gaashaan bir ah si looga hortago suurtagalnimada dibadda ee jabinta albaabka. Gaar ahaan, fadlan ogow in MOSFET aan lagu ridi karin sanduuq caag ah. Way fiicantahay in lagu kaydiyo sanduuq bir ah. Isla mar ahaantaana, fiiro gaar ah u yeelo ilaalinta qoyaanka tuubada.
4) Si looga hortago burburka soo jiidashada albaabka MOSFET, dhammaan qalabka tijaabada, kuraasta shaqada, biraha alxanka, iyo wareegyada laftooda waa inay si fiican u qotomaan; marka biinanka la iibinayo, marka hore iibi isha; ka hor inta aan lagu xirin wareegga, tuubada Dhammaan darafyada rasaasta waa in ay noqdaan kuwo gaaban oo isku xiran, iyo walxaha gaaban waa in la saaraa ka dib marka alxanka la dhammeeyo; marka tuubada laga soo saaro raafka qaybta, habab ku habboon waa in la isticmaalo si loo hubiyo in jidhka bini'aadamku uu yahay mid dhulka ah, sida isticmaalka giraanta dhulka; Dabcan, haddii ay horumarsan tahay Birta alxanka kuleyliyaha gaas ayaa aad ugu habboon alxanka MOSFET-yada waxayna hubisaa amniga; tuubada waa in aan la gelin ama laga soo bixin wareegga ka hor inta aan korontada la damin. Tallaabooyinka badbaadada ee kor ku xusan waa in fiiro gaar ah loo yeesho marka la isticmaalayo MOSFET.
5) Markaad rakibayso MOSFET, fiiro gaar ah u yeelo booska rakibaadda oo isku day inaad iska ilaaliso inaad u dhawaato walxaha kuleylka; si looga hortago gariirka qalabka tuubooyinka, waxaa lagama maarmaan ah in la adkeeyo qolofka tuubada; marka biinanka biinanka ah la leexiyo, waa inay 5 mm ka weyn yihiin cabbirka xididka si aad u hubiso in iska ilaali inaad leexiso biinanka oo ay keento daadinta hawada.
Awoodda MOSFETs, xaaladaha kulaylka wanaagsan ayaa loo baahan yahay. Sababtoo ah MOSFET-yada awoodda waxaa lagu isticmaalaa xaaladaha culeyska sarreeya, kuleyl ku filan waa in loo qaabeeyaa si loo hubiyo in heerkulka kiisku uusan dhaafin qiimaha la qiimeeyay si qalabku u shaqeeyo si deggan oo la isku halleyn karo muddo dheer.
Marka la soo koobo, si loo hubiyo isticmaalka badbaadada leh ee MOSFETs, waxaa jira waxyaabo badan oo ay tahay in fiiro gaar ah loo yeesho, sidoo kale waxaa jira tallaabooyin badbaado oo kala duwan oo la qaadayo. Inta badan shaqaalaha xirfadlayaasha ah iyo kuwa farsamada, gaar ahaan inta badan kuwa xiiseeya elektaroonigga ah, waa in ay ku socdaan iyagoo ku salaynaya xaaladdooda dhabta ah oo ay qaataan habab wax ku ool ah oo ay MOSFET-yada ugu isticmaalaan si badbaado iyo waxtar leh.
Waqtiga boostada: Abriil-15-2024
