Tani waa baakadMOSFETdareemaha infrared pyroelectric. Qaabka leydigu waa daaqada dareenka. pin-ka G waa terminalka dhulka, pin-ka D waa dheecaanka MOSFET gudaha, iyo S pin waa isha MOSFET gudaha. Wareegga, G wuxuu ku xiran yahay dhulka, D wuxuu ku xiran yahay koronta togan, calaamadaha infrared ayaa ka soo galaya daaqada, iyo calaamadaha korontadu waxay ka soo baxaan S.
Albaabka xukunka G
Darawalka MOS wuxuu inta badan ka ciyaaraa doorka qaabaynta waveform iyo wadida wadista: Haddii qaabka mowjadda signalka G eeMOSFETkuma filna, waxay sababi doontaa xaddi badan oo koronto ah inta lagu jiro marxaladda beddelka. Saameynteedu waa in la yareeyo waxtarka beddelka wareegga. MOSFET waxay yeelan doontaa qandho aad u daran waxaana si fudud u dhaawaci doonta kulaylka. Waxaa jira xoogaa awood ah oo u dhexeeya MOSFETGS. , haddii awoodda wadista signalka G ay ku filnaan waydo, waxay si dhab ah u saamayn doontaa wakhtiga boodka waveform.
Wareeg gaaban tiirka GS, dooro heerka R × 1 ee multimeterka, ku xidhi hogaanka tijaabada madow ilaa tiirka S, iyo tiirka cas ee hogaanka D tiirka. Iska caabintu waa inay noqotaa dhowr Ω ilaa in ka badan toban Ω. Haddii la ogaado in caabbinta pin gaar ah iyo labadiisa biin ay yihiin kuwo aan la koobi karin, oo weli aan la koobi karin ka dib markii la isweydaarsado tiirarka tijaabada, waxaa la xaqiijinayaa in biinkani uu yahay tiirka G, sababtoo ah wuxuu ka daboolan yahay labada biin ee kale.
Go'aami isha S oo daadi D
U deji multimeter-ka R × 1k oo cabbir iska caabbinta saddexda biin siday u kala horreeyaan. Isticmaal habka tijaabada rasaasta rasaasta si aad laba jeer u cabbirto caabbinta. Midka leh qiimaha iska caabinta hoose (guud ahaan dhawr kun oo Ω ilaa in ka badan toban kun Ω) waa iska caabbinta hore. Waqtigan xaadirka ah, sunta rasaasta madow waa tiirka S iyo tiirka gaduudan wuxuu ku xiran yahay tiirka D. Xaalado kala duwan oo imtixaan awgood, qiimaha RDS(on) ee la qiyaasay ayaa ka sarreeya qiimaha caadiga ah ee lagu sheegay buug-gacmeedka.
Ku saabsanMOSFET
Transistor-ku waxa uu leeyahay kanaalka N-nooca markaa waxa loo yaqaan N-channelMOSFET, amaNMOS. P-channel MOS (PMOS) FET ayaa sidoo kale jira, kaas oo ah PMOSFET ka kooban N-nooca BACKGATE oo khafiif ah iyo il nooca P ah iyo biyo-mareen.
Iyadoo aan loo eegin nooca N-nooca ama P-nooca MOSFET, mabda'a shaqadu waa isku mid. MOSFET waxay maamushaa qulqulka hadda jira ee ka soo baxa terminalka wax soo saarka iyadoo la raacayo danab lagu rakibay albaabka terminalka wax soo saarka. MOSFET waa qalab korantada lagu maamulo. Waxay maamushaa sifooyinka qalabka iyada oo loo marayo danab lagu dabaqay albaabka. Ma keenayso saamaynta kaydinta kharashka ee uu keeno saldhiga hadda jira marka transistor loo isticmaalo beddelka. Sidaa darteed, beddelashada codsiyada,MOSFET-yadawaa in uu ka dhaqso badan yahay transistors-ka.
FET waxay sidoo kale magaceeda ka heleysaa xaqiiqda ah in wax qabadkeeda (oo loo yaqaan albaabka) ay saameynayso socodka hadda socda ee transistor-ka iyada oo ku dhejinaysa beer koronto lakabka daboolka. Dhab ahaantii, wax hadda socda ma jiro daaha-qaadaha, markaa hadda GATE ee tuubbada FET waa mid aad u yar.
FET-da ugu caansan waxay isticmaashaa lakab khafiif ah oo silikoon dioxide ah sida dahaye hoos yimaada GATE.
Noocaan transistor-ka ah waxaa loo yaqaan transistor-ka birta oksaydhka ah (MOS), ama, transistor-ka saamaynta hawada ee birta oksaydhka (MOSFET). Sababtoo ah MOSFET-yadu way ka yar yihiin oo ka awood badan yihiin, waxay beddeleen transistor-yada laba-cirifoodka codsiyo badan.
Waqtiga boostada: Nov-10-2023
