Sida walxaha beddelka ah, MOSFET iyo IGBT waxay inta badan ka muuqdaan wareegyada elektiroonigga ah. Waxay sidoo kale la mid yihiin muuqaalka iyo cabbirrada sifada. Waxaan aaminsanahay in dad badan ay la yaabi doonaan sababta wareegyada qaar ay ugu baahan yihiin MOSFET, halka kuwa kalena ay isticmaalaan. IGBT?
Maxay ku kala duwan yihiin iyaga? Marka xigta,Olukeyayaa ka jawaabi doona su'aalahaaga!
Waa maxay aMOSFET?
MOSFET, magaca Shiinaha oo buuxa waa birta-oxide semiconductor saamaynta transistor-ka. Sababtoo ah albaabka saamaynta goobtan transistor-ka waxa go'doomiyay lakab dahaadh ah, waxa kale oo loo yaqaan transistor-ka saamayn beerka dahaaran. MOSFET waxa loo qaybin karaa laba nooc: "N-nooca" iyo "P-nooca" marka loo eego polarity of keeda "channel" (sida shaqada), sida caadiga ah sidoo kale loo yaqaan N MOSFET iyo P MOSFET.
MOSFET lafteedu waxay leedahay diode parasitic u gaar ah, kaas oo loo isticmaalo si looga hortago MOSFET inay gubato marka VDD uu kor u kaco tamarta. Sababtoo ah ka hor inta uusan kororka korontadu waxyeelo u geysan MOSFET, diode ayaa marka hore jebisa oo hagta qulqulka weyn ee dhulka, si ay uga hortagto MOSFET in ay gubato.
Waa maxay IGBT?
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) waa qalab semiconductor ka kooban transistor iyo MOSFET.
Calaamadaha wareegga IGBT weli lama midoobin. Marka la sawirayo jaantuska, calaamadaha triode iyo MOSFET guud ahaan waa la amaahday. Waqtigaan, waxaad ku xukumi kartaa inay IGBT ama MOSFET ka tahay qaabka ku calaamadsan jaantuska.
Isla mar ahaantaana, waa inaad sidoo kale fiiro gaar ah u yeelatid in IGBT uu leeyahay diode jirka ah. Haddii aan lagu calaamadin sawirka, macnaheedu maaha in aanu jirin. Ilaa xogta rasmiga ahi si gaar ah u sheegayso mooyaane, diode-kani waa joogaa. Diode-ka jirka ee gudaha IGBT ma aha dulin, laakiin si gaar ah ayaa loo dejiyay si uu u ilaaliyo tabcashada jilicsan ee IGBT. Waxa kale oo loo yaqaan FWD (diode free wheel).
Qaab dhismeedka gudaha ee labada ayaa kala duwan
Saddexda tiir ee MOSFET waa isha (S), bullaacadaha (D) iyo albaabka (G).
Saddexda tiir ee IGBT waa ururiyaha (C), emitter (E) iyo albaabka (G).
IGBT waxaa loo dhisaa iyadoo lagu darayo lakab dheeri ah biya-mareenka MOSFET. Qaab dhismeedkooda guduhu waa sida soo socota:
Goobaha codsiga ee labada waa kala duwan yihiin
Qaab dhismeedka gudaha MOSFET iyo IGBT way kala duwan yihiin, taas oo go'aamisa goobahooda codsi.
Sababo la xiriira qaab-dhismeedka MOSFET, waxa ay sida caadiga ah gaari kartaa hadda weyn, kaas oo gaari kara KA, laakiin korantada shardi ah u adkeysiga awoodda ma aha mid xooggan sida IGBT. Meelaha ugu muhiimsan ee ay ka codsato ayaa ah beddelidda sahayda korontada, ballasts, kuleylinta soo noqnoqda ee soo noqnoqda, mishiinnada alxanka beddelka ee soo noqnoqda, sahayda korontada iyo meelaha kale ee tamarta sare leh.
IGBT waxay soo saari kartaa awood badan, hadda iyo danab, laakiin inta jeer ee ma aha mid aad u sarreeya. Waqtigan xaadirka ah, xawaaraha beddelka adag ee IGBT wuxuu gaari karaa 100KHZ. IGBT waxaa si weyn loogu isticmaalaa mashiinada alxanka, rogayaasha, beddelayaasha soo noqnoqda, sahayda korantada korantada, kulaylinta ultrasonic induction iyo beeraha kale.
Tilmaamaha ugu muhiimsan MOSFET iyo IGBT
MOSFET waxay leedahay astaamaha impedance sare, xawaaraha beddelka degdega ah, xasilloonida kulaylka wanaagsan, korantada hadda gacanta, iwm. In wareegga, waxaa loo isticmaali karaa sida cod-weyneeye, shid elektaroonik ah iyo ujeedooyin kale.
Sida nooc cusub oo ah qalabka elektarooniga ah ee semiconductor, IGBT waxay leedahay sifooyinka impedance sare, isticmaalka awoodda korantada hooseeya, wareegga kontoroolka fudud, caabbinta korantada sare, iyo dulqaadka weyn ee hadda jira, waxaana si ballaaran loo isticmaalay wareegyada elektiroonigga ah ee kala duwan.
Wareegga ugu habboon ee u dhigma ee IGBT ayaa lagu muujiyay sawirka hoose. IGBT dhab ahaantii waa isku darka MOSFET iyo transistor. MOSFET waxay leedahay faa'iido darrooyinka iska caabinta sare, laakiin IGBT waxay ka gudubtaa cilladaan. IGBT wali waxay leedahay iska caabin hoose oo danab sare leh. .
Guud ahaan, faa'iidada MOSFET waa in ay leedahay sifooyin soo noqnoqda sare oo wanaagsan waxayna ku shaqeyn kartaa inta jeer ee boqolaal kHz iyo ilaa MHz. Khasaaraha ayaa ah in iska caabintu ay weyn tahay iyo isticmaalka korontadu ay ku badan tahay xaaladaha korantada sare iyo kuwa sare ee hadda jira. IGBT waxay si fiican u qabataa soo noqnoqoshada hooseeya iyo xaaladaha awoodda sare, oo leh iska caabin yar iyo koronto adkaysi sare leh.
Dooro MOSFET ama IGBT
Wareegga, haddii loo doorto MOSFET sida tuubada beddelka korontada ama IGBT waa su'aal ay inta badan la kulmaan injineerada. Haddii la tixgeliyo arrimo ay ka mid yihiin koronta, hadda, iyo awoodda beddelka ee nidaamka, qodobada soo socda ayaa lagu soo koobi karaa:
Dadku waxay badanaa weydiiyaan: "MOSFET ama IGBT miyaa ka fiican?" Run ahaantii, ma jiro farqi u dhexeeya wanaag iyo xumaan toona. Waxa ugu muhiimsan waa in la arko codsigeeda dhabta ah.
Haddii aad weli hayso su'aalo ku saabsan faraqa u dhexeeya MOSFET iyo IGBT, waxaad la xiriiri kartaa Olukey wixii faahfaahin ah.
Olukey inta badan waxa uu qaybiyaa WINSOK dhexdhexaad iyo tabar yar alaabta MOSFET. Alaabooyinka waxaa si weyn loogu isticmaalaa warshadaha militariga, looxyada darawalada LED/LCD, looxyada darawalada, ku dallaca degdega ah, sigaarka elektarooniga ah, kormeerayaasha LCD, sahayda korontada, qalabka guriga yar, alaabta caafimaadka, iyo alaabta Bluetooth. Miisaanka elektaroonigga ah, qalabka elektiroonigga ah ee baabuurta, alaabta shabakada, qalabka guriga, qalabka kombayuutarka iyo alaabada kala duwan ee dhijitaalka ah.
Waqtiga boostada: Dec-18-2023
